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Mc Graw Hill quinta. Tocci, editorial Prentice-Hall. Reglamento General de Deberes Militares edit. Cambridge University Press third.

Author:Daijinn Disida
Country:Morocco
Language:English (Spanish)
Genre:Environment
Published (Last):18 October 2019
Pages:252
PDF File Size:14.55 Mb
ePub File Size:8.13 Mb
ISBN:660-1-59156-516-4
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Report DMCA. Home current Explore. Words: , Pages: Preview Full text. El trabaj n seguro requiere un enfoque cuidadoso y consc iente para cada una de las tareas. Deben planear el trabajo, disponiendo sobre el banco de tra bajo. Use zapatos de goma o hule o permanezca sobre un tape te de hu le c uando trabaje en el banco de experimentos. Desenergice antes de conectar instrumentos de prueba en un circuito energizado.

No menosprecie la seguridad de estas clavijas usando adaptadores no aterrizados. Maneje las herramientas en forma apropiada y con cuidado. No permita juegos o bromas en el laboratorio. Use guantes y anteojos cuando se requieran.

Primeros auxilios. Reporte el accidente a su instructor. Sin embargo. Ejemplos: l. Ejemplos: ic. VES' Pe. Pe' 3. Mediante dispo sitivos semico nductores se llevan a cabo d iversas funciones de control. Pueden utilizarse como rectificadores.

Por ello. Un tran sistor. Predomina el silicio, por ser menos sensible al calor. En su estado original. El silicio tipo N contiene algunas cargas positivas huecos. Se puede considerar que el flujo de corriente en el silicio tipo N se porta por los electrones libres, que son lo s portadores may orita rios.

El silicio co ntaminado con ind io o con galio se co noce como tipo P. E l silicio tipo P co ntiene algunos e lectrones libres. Se puede considerar que el flu jo de la co rriente en el silicio tipo P se lleva a cabo mediante huecos.

Durante este proceso. Movim iento de electrone s libres y huecos en un mal eo rial tipo P. La terminal po sitiv a de VM repele a los huecos del silicio tipo P que se desplazan hacia la terminal negativa. Los electrones libres entran al silicio procedentes de la terminal negativa de VM Yse desplazan hacia los huecos. Se llev an a cabo combinaciones de electrones libres y huecos. Al tie mpo qu e se fonnan estas combinaciones.

Los electrones y los huecos se desplazan. Entonces, los portado res de cor rien te mayoritarios del d iodo no prod uce n un fluj o de corriente. Esta corr iente se debe a los portadores minoritarios, es deci r. E n el caso de los portadore s minor itar ios. Como resu ltado de los portadore s minoritarios. Para de tcrminar lo anterior de man era experimental. Por In tanto. En la fi gura Fig ura En el caso de los diodos de germanio es de 0. En la figura , la punta A es positiva y la punta B es negat iva.

Fluye poca corriente y el valor de la resistencia del diodo es elevado. Por lo tanto. Por esto es posible! Por fortuna , el fabricante proporciona. En esenc ia. Por 10 tanto. A partir de este mo mento el d iodo se activa. S in impo rtar la corrie nte directa.

Para los d iodos de germanio. Por cierto. El voltaje de la fuente es suficiente para reba sar el voltaje de cod o. Para que un d iodo de silicio co nd uzca rea lmente bien es necesario que haya por lo menos 0. Cuando la fue nte de voltaje es grande, 0. Pero si la fuente de voltaje no es tan grande, entonces hay q ue tomar en cuen ta los 0. Usando litera les 1. En la hoja de especificac iones de l fabricante por lo general se ind ica el valor de la corriente d irecta I F correspondiente a 1 V.

En el caso de un diodo de silicio los primero s 0. Por ejemplo, el l N es un d iodo de silicio cuya Ir es igual a 40 mA a 1 V.

SH 40 mA J. E n la figura l- 12a se muestra el efecto de r ll. Una vez activado el d iodo de si licio, la corriente pro duce un voltaj e e n re. Si el valo r de 0. Estos materiales se contaminan con impurezas para disminuir su resistividad y aumentar su conductividad. Cuando se unen una pieza de semiconductor tipo N portadores de corriente negativos. Una vez que este voltaje se aplica al diodo. Debido al comportamiento unidireccional del diodo.

Es decir. Responda a las siguientes preguntas para evaluar su aprendizaje. Una vez que se activa un diodo, al aumentar el voltaje en el diodo se produce una mayor. La resiste ncia di recta de un diodo se puede verificar. De acue rdo co n e lla, e l diodo es un perfecto o un aislante perfecto. El voltaje de barre ra de un dicxlo de silicio es de Entonces, sin importar la cantidad de co rriente presente.

La resistencia es la resistencia de las regiones P y N. Resistores: n a 2 W. Otros: interruptor de un polo un tiro. Paso V" 2 0. Ajuste la salida de la fuente de cd variable de manera que el voltaje en el dio do VA K mida 0. Mida y anote. Circuito para pruebas del experimento 1. Anote la lectura en la tabla 1- 1.

Qu ite el diodo del c ircuito y mida su resistenc ia. Anote ambas lecturas en la tabla , en donde corresponda. Aju ste la fuente de cd variable de acuerdo con los valores de VA K que se mues tran en la tab la Mida y anote la corriente to para cada valor de VA K.

De nuevo fije la fuente de cd variable de acue rdo con los valores indicados en la tabla Si dispone de un trazador de c urvas. Aprox imaciones. A su vez. Anote en la tabla 1- 1 el valor de ro.

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